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SIRA62DP-T1-RE3相关型号

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  • SMBJ110A-M3/52

    ESD 抑制器/TVS 二极管 110V 1000W UniDir TransZorb 5% Tol

  • SMAJ36CAHE3/5A

    ESD 抑制器/TVS 二极管 400W 36V 5% Bi AEC-Q101 Qualified

  • SMBJ24AHE3/5B

    ESD 抑制器/TVS 二极管 24V 1000W UniDir TransZorb 5% Tol

  • SAC22-E3/54

    ESD 抑制器/TVS 二极管 500W 22V 10% Low Cap

Vishay(威世)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • SIRA62DP-T1-RE3

  • 制造商：Vishay Semiconductors
  • 批号：最新
  • 描述：MOSFET 30V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

优势价格，SIRA62DP-T1-RE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 制造商:Vishay
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技术:Si
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8
  • 通道数量:1 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:30 V
  • Id-连续漏极电流:80 A
  • Rds On-漏源导通电阻:1.2 mOhms
  • Vgs th-栅源极阈值电压:1 V
  • Vgs - 栅极-源极电压:10 V
  • Qg-栅极电荷:61.5 nC
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:65.7 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 商标名:TrenchFET, PowerPAK
  • 封装:Cut Tape
  • 封装:Reel
  • 系列:SIR
  • 晶体管类型:1 N-Channel
  • 商标:Vishay / Siliconix
  • 正向跨导 - 最小值:95 S
  • 下降时间:10 ns
  • 产品类型:MOSFET
  • 上升时间:21 ns
  • 工厂包装数量:3000
  • 子类别:MOSFETs
  • 典型关闭延迟时间:26 ns
  • 典型接通延迟时间:12 ns

其它信息

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